14）工控机及操作系统

用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：

?机箱：4Μ 15槽上架式机箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL双核；

?主板：研华SIMB；

?硬盘：1TB；内存4G；

?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；

?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。

?西门子PLC逻辑控制

15）数据采集与处理单元

用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：

?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?状态监测：NI数据采集卡

?上位机：基于Labview人机界面

?数据提取：测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式，特别是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递至上位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展

目的和用途 该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。1mJ50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW。 1.2 测试对象 IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS 6、开通峰值功率Pon：10W～250kW

2.2反向恢复技术条件 测试参数： 1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 测试条件： 1、正向电流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt测量范围：200～10000A/us 3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt测量范围：100～10000V/us