（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V 1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集电极电压VCE： 0V 栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集电极-发射极电压 集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压Vge： 0V 4）集电极-发射极饱和电压VCESat VCESat：0.2-5V 栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V 集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集电极-发射极截止电流ICES 集电极电压VCE： 100-5000V±3% 集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 栅极电压VGE： 0V 6）栅极-发射极阈值电压 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集电极电流ICE： 30mA±3% 7）二极管压降测试 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

三、华科智源IGBT测试仪系统特征： A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广； C：脉冲宽度 50uS~300uS D：Vce测量精度2mV E：Vce测量范围>10V F：电脑图形显示界面 G：智能保护被测量器件 H：上位机携带数据库功能 I：MOS IGBT内部二极管压降 J : 一次测试IGBT全部静态参数 K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。

大功率半导体器件为何有老化的问题？

任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。Eon、Eoff开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0。

1）可调充电电压源

用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。

?输入电压 380V±10%

?频率 50HZ；

?输出电压 500～1500V可调（可多个电源组成）

?输出电流 10A；

?电压控制精度 1%

?电压调整率