3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集电极电压VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01～50mA 集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集电极电流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge： 5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01～10μA 栅极漏电流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge： ±1V～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 电流IF： 0～100A±2%±1A；14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：。 100～1600A±1.5%±2A；

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

Vce

集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～+30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

2.3栅极电荷技术条件 测试参数： 栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC 测试条件： 1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V 2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A; 3、集电极电压：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求