IGBT测试装置技术要求 (1)设备功能 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。 IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试,在IGBT的检测中,采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。数据采集后,后台软件自动及时绘出相应图表,以方便现场判断使用。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
什么是大功率半导体元件?其用途为何?
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。公司装备精良,具有先进的检测手段,产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行,其品质、技术及工艺方面保持国内,部分产品达到国外同类产品的先进水平。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1)功能
GBT模块动态参数测试。
*2)测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
主要参数 测试范围 精度要求 测试条件
Vce
集射极电压 150~3300V 150~500V±3%±1V;
500~1000V±2%±2V;
1000~3300V±1%±5V; 150~3300V
Ic
集射极电流 1~200A 1~200A±3%±1A; 1~200A
Vge
栅极电压 -30V~30V -30~0V±1%±0.1V;
0~+30V±1%±0.1V -30V~30V
Qg
栅极电荷 400~20000nC Ig: 0~50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;
Eon、Eoff
开通/关断能量 1~5000mJ 1~50mJ±2%±0.1mJ;
50~200mJ±2%±1mJ;
200~1000mJ±2%±2mJ;
1000~5000mJ±1%±5mJ;
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